Du er ikke logget ind
Beskrivelse
Zbadano niezawodno¿¿ diod elektroluminescencyjnych (LED) InGaN/GaN o ró¿nych d¿ugo¿ciach fali emisyjnej i ró¿nych geometriach. Zmierzono charakterystyki pr¿dowo-napi¿ciowe, widmo szumu 1/f, up¿ywno¿¿, rezystancj¿ statyczn¿. Urz¿dzenia poddano 1000-godzinnemu testowi obci¿¿eniowemu stäopr¿dowemu i zbadano stopie¿ degradacji ich wyj¿cia optycznego. Uzyskane wyniki zostäy wyjänione na podstawie danych przekrojowych.