Du er ikke logget ind
Beskrivelse
Izuchena nadezhnost' swetodiodow (LED) InGaN/GaN s raznoj dlinoj wolny izlucheniq i raznoj geometriej. Izmerqlis' takie harakteristiki ustrojstwa, kak tokowo-naprqzhenie, spektr shumow 1/f, utechka, staticheskoe soprotiwlenie. Pribory proshli 1000-chasowoj test na naprqzhenie postoqnnogo toka, i byla issledowana skorost' degradacii ih opticheskogo wyhoda. Rezul'taty byli ob#qsneny perekrestnymi dannymi.