Thermodynamische analyse van epitaxiale laaggroeiprocessen

Het huidige werk is gewijd aan de thermodynamische analyse van fysicochemische processen van groei van epitaxiale lagen van halfgeleiderverbinding Ga2Se3 uit de gasfase in het stromingssysteem Ga - Se - Cl - H en het modelleren van technologische processen voor het voorspellen van mogelijke technologische varianten en het bepalen van optimale condities voor de synthese van deze verbinding. De resultaten van onderzoek naar de definitie en berekening van thermodynamische parameters van individuele stoffen van het Ga - Se - Cl - H systeem worden gegeven, voor hun gebruik bij thermodynamische modellering van processen van groei van epitaxiale lagen van Ga2Se3 uit een gasfase. Het verband tussen thermodynamische variabelen en technologische parameters van het Ga2Se3 syntheseproces in open-type reactor met afzonderlijke bronnen van gallium en selenium wordt onderzocht. Het schema van de berekening van de technologische parameters van het proces van groeiende epitaxiale lagen van Ga2Se3 in het stromingsgas transportsysteem met afzonderlijke bronnen van gallium en selenium wordt geïllustreerd.