Memoires electroniques

La reflexion en termes d'optimisation du stockage des donnees et des vitesses d'execution a dernierement conduit a de nouveaux criteres de fonctionnement des memoires electroniques du futur. Ces memoires, tout en consommant tres peu d'energie, devront pouvoir assurer a la fois des fonctions d'archivage (conservation des donnees sur des periodes superieures a 10 ans) et etre capables d'effectuer des operations logiques a tres grande vitesse (temps de commutation de l'ordre de la nanoseconde).De telles memoires, dites SCM (Storage Class Memory), n'existent pas encore et font actuellement l'objet de recherches intensives.Cet ouvrage presente les trois systemes sur le point d'atteindre cet objectif : les memoires magnetiques STT (Spin Transfer Torque), les memoires a changement de phase (PCRAM) et les memoires resistives (RRAM) a metallisation ou a changement de valence. Proposant une description detaillee des evolutions de la technologie existante, il analyse egalement l'emergence de concepts nouveaux susceptibles de conduire a des memoires electroniques de type SCM.