- Bliv medlem
-
Log ind
Du er ikke logget ind
Log ind Opret dig - Kurv
Du er ikke logget ind
Beskrivelse
Postoqnno rastuschij spros na nowye prilozheniq i kompaktnye ustrojstwa priwel k razrabotke nowyh tehnologij na urowne integracii. Ochen' masshtabnaq integraciq (VLSI) dala preimuschestwo integracii prilozhenij bol'shoj plotnosti w kompaktnuü platformu, dostigaq celi polucheniq wysokoproizwoditel'nyh prilozhenij na odnoj platforme. S uwelicheniem plotnosti integracii äta tehnologiq razwilas' do nanorazmernogo proektirowaniq, chto daet znachitel'nyj skachok w oblasti VLSI. S dostizheniem bol'shoj plotnosti integracii takzhe uwelichiwaütsq ogranicheniq na moschnost', skorost' i propusknuü sposobnost'. S uwelicheniem plotnosti tranzistorow rastet i änergopotreblenie. Jeto qwlqetsq uzkim mestom pri proektirowanii SBIS dlq kriticheski wazhnyh prilozhenij. Sledowatel'no, potrebnost' w snizhenii änergopotrebleniq qwlqetsq osnownoj zadachej w srede proektirowaniq SBIS. Optimizaciq änergopotrebleniq razrabatywaetsq s pomosch'ü mnozhestwa sredstw, gde issledowateli ispol'zuüt razlichnye podhody na urowne kompozicii ili integracii dlq snizheniq rasseiwaemoj moschnosti. Ispol'zowanie wychislitel'noj moschnosti schitaetsq poleznym potrebleniem, odnako, issleduütsq poteri moschnosti iz-za IK-poter' i älektromagnitnyh pomeh (EMI).
