Hoge prestatie GaN licht-emitterende diode

De betrouwbaarheid van InGaN/GaN licht emitterende diodes (LEDs) met verschillende emissiegolflengtes en verschillende geometrieën werd bestudeerd. De prestaties van de apparaten, zoals stroom-spanningskarakteristieken, 1/f-ruisspectrum, lekkage en statische weerstand, werden gemeten. De apparaten ondergingen een stresstest van 1000 uur met constante stroom en de degradatiesnelheid van hun optische output werd onderzocht. De resultaten werden verklaard door kruiselingse gegevens.