Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode

Die Zuverlässigkeit von InGaN/GaN-Leuchtdioden (LEDs) mit verschiedenen Emissionswellenlängen und unterschiedlichen Geometrien wurde untersucht. Die Geräteleistungen, wie Strom-Spannungs-Charakteristik, 1/f-Rauschspektrum, Leckage, statischer Widerstand, wurden gemessen. Die Bauelemente wurden einem 1000-stündigen Konstantstrom-Stresstest unterzogen und ihre optische Leistungsdegradation wurde untersucht. Die Ergebnisse wurden anhand von Querverweisdaten erklärt.