Fresagem final de alta velocidade de wafer de silício de cristal único

A usinagem de silício monocristalino é um assunto desafiador e caro devido à alta dureza e fragilidade inerente do material. O principal problema na usinagem convencional de materiais frágeis como o silício é a geração de rachaduras e danos na subsuperfície. Este livro descreve um processo de usinagem de modo dúctil desenvolvido para silício empregando fresamento de topo de alta velocidade usando ferramentas revestidas de diamante. O método desenvolvido foi considerado para garantir integridade da superfície usinada e bom acabamento superficial. A influência dos parâmetros de corte, como velocidade de corte, avanço e profundidade de corte, no modo de usinagem dúctil é discutida no livro. Um projeto fatorial completo de 3 níveis de experimentos usando a Metodologia de Superfície de Resposta (RSM) foi empregado para desenvolver um modelo de regressão da rugosidade média da superfície. O modelo desenvolvido foi testado por meio de Análise de Variância (ANOVA) com nível de confiança de 95%. A melhor rugosidade superficial média alcançada foi de 0,2 ¿m, o que poderia aliviar a necessidade de mais operações de retificação e polimento áspero para economizar custos e tempo de ciclo de usinagem de silício.