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Beskrivelse
Die vorliegende Arbeit beschaftigt sich mit der experimentellen Realisierung freitragender Quantenpunkte auf Basis von GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen. Nach einer Einfuhrung in die theoretischen Grundlagen von Gitterdynamik und Transporteigenschaften niedrigdimensionaler Phononen- bzw. Elektronensysteme wird zunachst die Herstellung der Probestrukturen beschrieben. Besonderes Augenmerk liegt dabei auf dem Atzprozess, der qualitativ hochwertige Elektronensysteme in freitragenden Nanostrukturen ermoglicht. Anschliessend werden die elektronischen Eigenschaften freitragender Balken- und Billardstrukturen durch Magnetowiderstandsmessungen untersucht. Dadurch lassen sich nicht nur Informationen uber Ladungstragerdicht und Beweglichkeit gewinnen, sondern auch Ruckschlusse auf Randverarmung und Randrauhigkeit der Proben ziehen. Der Kern der Arbeit beschaftigt sich mit den Transporteigenschaften freitragender Quantenpunkte, die massgeblich durch die Elektron-Phonon-Kopplung bestimmt sind.