Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho

Foi estudada a fiabilidade dos díodos emissores de luz (LEDs) InGaN/GaN com diferentes comprimentos de onda de emissão e diferentes geometrias. Foram medidos os desempenhos dos dispositivos, como características de tensão de corrente, espectro de ruído 1/f, fugas, resistência estática. Os dispositivos foram submetidos a um teste de tensão de corrente constante de 1000 horas e a sua taxa de degradação da saída óptica foi examinada. Os resultados foram explicados por dados relacionados com o cruzamento de dados.