Diodo emisor de luz de GaN de alto rendimiento

Se estudió la fiabilidad de los diodos emisores de luz (LED) de InGaN/GaN con diferentes longitudes de onda de emisión y diferentes geometrías. Se midieron las prestaciones de los dispositivos, como las características de corriente-tensión, el espectro de ruido 1/f, las fugas y la resistencia estática. Los dispositivos se sometieron a una prueba de tensión de corriente constante durante 1000 horas y se examinó su tasa de degradación de la salida óptica. Los resultados se explicaron mediante datos cruzados.