Diodo a emissione luminosa GaN ad alte prestazioni

È stata studiata l'affidabilità dei diodi ad emissione luminosa (LED) InGaN/GaN con diverse lunghezze d'onda di emissione e diverse geometrie. Sono state misurate le prestazioni dei dispositivi, come le caratteristiche corrente-tensione, lo spettro di rumore 1/f, le perdite, la resistenza statica. I dispositivi sono stati sottoposti a un test di stress a corrente costante per 1000 ore e il loro tasso di degradazione dell'uscita ottica è stato esaminato. I risultati sono stati spiegati da dati incrociati.