Puteshestwie w naprawlenii Nanowirsa

Микроэлектронная промышленность перешла к режиму наноразмеров, который обеспечил низкую мощность и высокую скорость переключения в электронных схемах. Согласно международной технологической дорожной карте для полупроводников ITRS-2020, сегодняшняя технология достигла размера суб-10 нм и движется в направлении 5.6 нм. Для того, чтобы поддерживать снижение масштаба, необходимо не только разработать новые архитектуры устройств, но и может потребоваться замена кремния. Корпорация Intel разработала транзисторные устройства на базе трех затворов с длиной затвора 14 нм. Многозатворные транзисторы FET и транзисторные структуры Nanowire подходят для узлов с длиной затвора менее 14 нм. Тем не менее, изучены возможности вертикальных Nanowire, разработанных с использованием составных материалов III-V, высокоκ оксидных материалов затвора и металлических затворов с улучшенными эксплуатационными характеристиками.