MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si

Изучено образование радиационных дефектов при высокоэнергетическом МэВ-электронном облучении структуры Si-SiO2 n- и p-типа с различными видами оксидов. Морфологические изменения оксида SiO2 при облучении электронов МэВ-элементов наблюдались при АСМ. Представлены ионы Si+, имплантированные Si-SiO2 структуры до и после облучения электронами МэВ. Перераспределение атомов кислорода и кремния и генерация нанокристаллов Si при облучении электронов МэВ наблюдались методами БКС/С и АСМ соответственно. Также проведены оптические свойства, фотолюминесценция и спектроскопические исследования пленок SiOx, облученных МэВ-электронами.